MG12200D-BN2MM
Modul: IGBT; tranzistor/tranzistor; semipunte IGBT; Urmax: 1,2kV
Producator: IXYS
Denumire producător:
MG12200D-BN2MM
Simbol TME:
MG12200D-BN2MM
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | IGBT | |
Structura semiconductorului | tranzistor/tranzistor | |
Topologie | semipunte IGBT | |
Tensiune inversă max. | 1,2kV | |
Curent de colector | 200A | |
Carcasă | Y3-DCB | |
Montare electrică | FASTON terminali, înşurubare | |
Tensiunea poartă - emitor | ±20V | |
Curent de colector pulsat | 400A | |
Tehnologie | Field Stop, Trench | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută100 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT IXYS,
* MG12200D-BN2MMNumăr de bucăți (Multiplu: 1)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 172.00 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 208.13 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 3 buc - 154.00 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 3 buc - 186.35 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 5 buc - 137.00 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 5 buc - 165.77 EUR