MII200-12A4
Modul: IGBT; tranzistor/tranzistor; semipunte IGBT; Urmax: 1,2kV
Producator: IXYS
Denumire producător:
MII200-12A4
Simbol TME:
MII200-12A4
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | IGBT | |
Structura semiconductorului | tranzistor/tranzistor | |
Topologie | semipunte IGBT | |
Tensiune inversă max. | 1,2kV | |
Curent de colector | 180A | |
Carcasă | Y3-DCB | |
Utilizare | motoare | |
Montare electrică | FASTON terminali, înşurubare | |
Tensiunea poartă - emitor | ±20V | |
Curent de colector pulsat | 360A | |
Putere disipată | 1,13kW | |
Tehnologie | NPT | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută10 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT IXYS,
* MII200-12A4Număr de bucăți (Multiplu: 1)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 248.16 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 300.28 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 4 buc - 222.41 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 4 buc - 269.12 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 6 buc - 200.17 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 6 buc - 242.21 USD