MKI100-12F8
Modul: IGBT; diodă/tranzistor; punte H; Urmax: 1,2kV; Ic: 125A; 640W
Producator: IXYS
Denumire producător:
MKI100-12F8
Simbol TME:
MKI100-12F8
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | IGBT | |
Structura semiconductorului | diodă/tranzistor | |
Topologie | punte H | |
Tensiune inversă max. | 1,2kV | |
Curent de colector | 125A | |
Carcasă | E3-Pack | |
Montare electrică | Press-in PCB | |
Tensiunea poartă - emitor | ±20V | |
Curent de colector pulsat | 200A | |
Putere disipată | 640W | |
Tehnologie | HiPerFRED™, NPT | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută300 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT IXYS,
* MKI100-12F8Număr de bucăți (Multiplu: 1)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 226.00 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 273.46 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 3 buc - 204.00 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 3 buc - 246.85 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 5 buc - 180.00 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 5 buc - 217.80 EUR