STGAP2SICSANCTR
IC: driver; controler porţi SiC MOSFET; SO8; -4÷4A; 1,7kV; Ch: 1
Producator: STMicroelectronics
Denumire producător:
STGAP2SICSANCTR
Simbol TME:
STGAP2SICSANCTR
Specificații
Producător | STMicroelectronics | |
Tip circuit integrat | driver | |
Subtip circuit integrat | controler porţi SiC MOSFET | |
Carcasă | SO8 | |
Curent ieşire | -4...4A | |
Tensiune ieşire | 1,7kV | |
Număr canale | 1 | |
Caracteristici circuite integrate | separare galvanică | |
Montare | SMD | |
Temperatura de lucru | -40...125°C | |
Subtip ambalaj | bandă, rolă |
Tensiune alimentare
- 3,1...5,25V
Masa brută1 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Drivere MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICSANCTRNumăr de bucăți (Multiplu: 2 500)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 2500 buc - 1.02 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 2500 buc - 1.24 USD