STGAP2SICSCTR
IC: driver; controler porţi SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4A; 1,2kV; Ch: 1
Producator: STMicroelectronics
Denumire producător:
STGAP2SICSCTR
Simbol TME:
STGAP2SICSCTR
Specificații
Producător | STMicroelectronics | |
Tip circuit integrat | driver | |
Subtip circuit integrat | controler porţi SiC MOSFET | |
Carcasă | SO8-W | |
Curent ieşire | -4...4A | |
Tensiune ieşire | 1,2kV | |
Număr canale | 1 | |
Caracteristici circuite integrate | separare galvanică | |
Montare | SMD | |
Temperatura de lucru | -40...125°C | |
Subtip ambalaj | bandă, rolă |
Tensiune alimentare
- 3,1...5,5V
Masa brută1 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Drivere MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICSCTRNumăr de bucăți (Multiplu: 1 000)
0 în stoc la TME
Produs livrat la comandă specială