VS-GT80DA120U
Modul: IGBT; mono-tranzistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 80A; SOT227B; Trench
Producator: VISHAY
Denumire producător:
VS-GT80DA120U
Simbol TME:
VS-GT80DA120U
Specificații
Producător | VISHAY | |
Tip modul semiconductor | IGBT | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune inversă max. | 1,2kV | |
Curent de colector | 80A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Tensiunea poartă - emitor | ±20V | |
Curent de colector pulsat | 170A | |
Tehnologie | Trench | |
Caracteristici elemente semiconductoare | integrated anti-parallel diode | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută30 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT VISHAY,
* VS-GT80DA120UNumăr de bucăți (Multiplu: 1)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 39.92 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 48.30 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 5 buc - 37.68 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 5 buc - 45.59 USD