IXGN200N170
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 160A; SOT227B
Proizvajalec: IXYS
Proizvajalčeva oznaka:
IXGN200N170
Simbol TME:
IXGN200N170
Specifikacija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Max. off-state voltage | 1,7kV | |
Collector current | 160A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 1,05kA | |
Power dissipation | 1,25kW | |
Technology | NPT | |
Mechanical mounting | screw |
Bruto teža30 g
Certifikati
Poglejte preostale izdelke iz te kategorije: IGBT moduli IXYS,
* IXGN200N170Število kosov (Večkratnost: 1)
0 na zalogi pri TME
Neto cena za količine od 1 kos - 66.00 USDBruto cena za količine od 1 kos - 80.52 USD
Neto cena za količine od 5 kos - 60.84 USDBruto cena za količine od 5 kos - 74.23 USD
Neto cena za količine od 10 kos - 58.71 USDBruto cena za količine od 10 kos - 71.63 USD