APTM120DA30CT1G
Modul; dióda SiC/tranzistor; 1,2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W
Výrobca: MICROCHIP TECHNOLOGY
Označenie výrobcu:
APTM120DA30CT1G
Symbol TME:
APTM120DA30CT1G
Špecifikácie
Výrobca | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | ||
Štruktúra polovodiča | dióda SiC/tranzistor | ||
Napätie drain-source | 1,2kV | ||
Prúd drainu | 23A | ||
Kryt | SP1 | ||
Topológia | boost chopper, termistor NTC | ||
Elektrická montáž | Press-in PCB | ||
Odpor v zopnutom stave | 0,36Ω | ||
Impulzný prúd kolektora | 195A | ||
Rozptýlenie energie | 657W | ||
Technológia | POWER MOS 8®, SiC | ||
Napätie gate-source | ±30V | ||
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto80 g
Potvrdenia
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. je importérom produktov tejto značky
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120DA30CT1GPočet kusov (Mnohonásobnosť: 12)
0 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 12 ks - 65.26 EURHrubá cena pre množstvá od 12 ks - 80.27 EUR
Ponuka je k dispozícii pre prihlásených zákazníkov