+1 500 000 produktov v ponuke

6000 zásielok denne

+300 000 klientov zo 150 krajín

Quick Buy Obľúbené
Košík

Oznamujeme, že dňa 12.07.2026. v 08:00 -11:00 (CEST) hod. sa môžu vyskytnúť problémy s prístupom na webovú stránku a s objednávkami on-line. Ospravedlňujeme sa za vzniknuté ťažkosti.

NXV08A170DB2

Modul; tranzistor/tranzistor; 80V; 200A; APM12-CBA; THT; Ugs: ±20V

Výrobca: ONSEMI

Označenie výrobcu:
NXV08A170DB2
Symbol TME:
NXV08A170DB2

Špecifikácie

Výrobca
ONSEMI
Typ polovodičového modulu
tranzistorový MOSFET
Štruktúra polovodiča
tranzistor/tranzistor
Napätie drain-source
80V
Prúd drainu
200A
Kryt
APM12-CBA
Topológia
polomost MOSFET
Elektrická montáž
THT
Odpor v zopnutom stave
2,4mΩ
Napätie gate-source
±20V
Druh balenia
tácka
Mechanická montáž
priskrutkovaním
Hmotnosť brutto100 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules ONSEMI,
*
NXV08A170DB2
0 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 288 ks - 15.29 USDHrubá cena pre množstvá od 288 ks - 18.81 USD
Počet kusov (Mnohonásobnosť: 288)