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ONSEMI in der Kategorie IGBT-Module

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Seite 1
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 660A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH660S75L4SPFC
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 502.95 GBPBruttopreis für Mengen von 4 st - 598.51 GBP
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Anzahl Stück (Vielfache: 4)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter
Kennzeichnung des Herstellers: NXH450N65L4Q2F2S1G
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 36 st - 114.47 GBPBruttopreis für Mengen von 36 st - 136.22 GBP
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Anzahl Stück (Vielfache: 36)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 820A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH820S75L4SPB
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 542.84 GBPBruttopreis für Mengen von 4 st - 645.98 GBP
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Anzahl Stück (Vielfache: 4)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter
Kennzeichnung des Herstellers: NXH600N65L4Q2F2SG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 36 st - 127.48 GBPBruttopreis für Mengen von 36 st - 151.70 GBP
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 36)
NEW
FGD3245G2-F085V | Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK
Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK
Kennzeichnung des Herstellers: FGD3245G2-F085V
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 2500 st - 0.90 GBPBruttopreis für Mengen von 2500 st - 1.06 GBP
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Anzahl Stück (Vielfache: 2 500)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 640A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH640S75L4SPB
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 466.53 GBPBruttopreis für Mengen von 4 st - 555.17 GBP
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 4)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 820A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH820S75L4SPC
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 542.84 GBPBruttopreis für Mengen von 4 st - 645.98 GBP
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Anzahl Stück (Vielfache: 4)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 950A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH950S75L4SPB
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 732.91 GBPBruttopreis für Mengen von 4 st - 872.16 GBP
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 4)
Modul: IGBT; Ic: 61A
Kennzeichnung des Herstellers: NXH100B120H3Q0SG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 24 st - 44.83 GBPBruttopreis für Mengen von 24 st - 53.34 GBP
576 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 24)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
Modul: IGBT; Diode/Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 181A; PIM56
Kennzeichnung des Herstellers: NXH160T120L2Q2F2S1G
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 12 st - 92.66 GBPBruttopreis für Mengen von 12 st - 110.27 GBP
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Modul: IGBT; Ic: 330A; PIM
Kennzeichnung des Herstellers: NXH200T120H3Q2F2STNG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 12 st - 110.60 GBPBruttopreis für Mengen von 12 st - 131.61 GBP
396 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
Modul: IGBT; Ic: 330A; PIM
Kennzeichnung des Herstellers: NXH200T120H3Q2F2SG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 12 st - 110.60 GBPBruttopreis für Mengen von 12 st - 131.61 GBP
192 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
Modul: IGBT; SiC-Diode/Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 92A; PIM32
Kennzeichnung des Herstellers: NXH240B120H3Q1P1G
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 21 st - 76.83 GBPBruttopreis für Mengen von 21 st - 91.43 GBP
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 21)
Modul: IGBT; Ic: 68A; PIM32
Kennzeichnung des Herstellers: NXH240B120H3Q1PG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 21 st - 68.88 GBPBruttopreis für Mengen von 21 st - 81.97 GBP
504 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 21)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
Modul: IGBT; SiC-Diode/Transistor; Urmax: 1kV; Ic: 400A; PIM42; SiC
Kennzeichnung des Herstellers: NXH400N100H4Q2F2PG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 36 st - 198.11 GBPBruttopreis für Mengen von 36 st - 235.75 GBP
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 36)
NXH40B120MNQ0SNG
Kennzeichnung des Herstellers: NXH40B120MNQ0SNG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 24 st - 64.61 GBPBruttopreis für Mengen von 24 st - 76.88 GBP
576 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 24)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
Modul: IGBT; Ic: 101A; PIM
Kennzeichnung des Herstellers: NXH450B100H4Q2F2SG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 12 st - 122.87 GBPBruttopreis für Mengen von 12 st - 146.22 GBP
216 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
Modul: IGBT; SiC-Diode/Transistor; Urmax: 1kV; Ic: 450A; Press-Fit
Kennzeichnung des Herstellers: NXH450B100H4Q2F2PG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 36 st - 135.21 GBPBruttopreis für Mengen von 36 st - 160.90 GBP
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 36)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; Urmax: 650V; Ic: 59A; PIM27; SiC
Kennzeichnung des Herstellers: NXH75M65L4Q1PTG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 21 st - 53.07 GBPBruttopreis für Mengen von 21 st - 63.16 GBP
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 21)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; IGBT Halbbrücke,NTC Thermistor
Kennzeichnung des Herstellers: NXH800H120L7QDSG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 24 st - 179.43 GBPBruttopreis für Mengen von 24 st - 213.53 GBP
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 24)
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