IX2113G
IC: driver; polomost IGBT,polomost MOSFET; DIP14; -2÷2A; Ch: 2
Výrobca: IXYS
Označenie výrobcu:
IX2113G
Symbol TME:
IX2113G
Špecifikácie
Výrobca | IXYS | ||
Typ integrovaného obvodu | driver | ||
Topológia | polomost IGBT, polomost MOSFET | ||
Druh integrovaného obvodu | high-/low-side, ovládač brány | ||
Kryt | DIP14 | ||
Výstupný prúd | -2...2A | ||
Počet kanálov | 2 | ||
Montáž | THT | ||
Pracovná teplota | -40...125°C | ||
Druh balenia | tuba | ||
Napäťová trieda | 600V |
Vlastnosti integrovaných obvodov
- kompatibilita s logikou napätí pracujúcich v štandarde 3,3 V
- prispôsobenie oneskorenia šírenia: 20 ns
- tolerant to negative voltage transient: du/dt immune
- UVLO (UnderVoltage LockOut)
Napájacie napätie
- 10...20V
Hmotnosť brutto1.005 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Drivery MOSFET/IGBT IXYS
* IX2113GVyuži nižšie uvedenú tabuľku špecifikácií a vyhľadaj podobné výrobky
Produkt stiahnutý z ponuky
Spôsob balenia výrobcomTuba = 30 ks