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2SC0108T2H0-17

Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

Produttore: POWER INTEGRATIONS

Indicazione del produttore:
2SC0108T2H0-17
Simbolo TME:
2SC0108T2H0-17

Specifica

Produttore
POWER INTEGRATIONS
Tipo di modulo a semiconduttore
gate driver board
Topologia
semi ponte IGBT, semi ponte MOSFET
Montaggio
lista con pioli
Temperatura di lavoro
-40...85°C
Tecnologia
SCALE™-2+
Classe di tensione
1,2kV
Frequenza
50kHz
Corrente d'uscita
8A
Genere di uscita
driver IGBT
Tensione di alimentazione
  • 14,5...15,5V DC
Proprieta dei circuiti integrati
  • convertitore DC/DC integrato
  • separazione galvanica
Peso lordo50 g
Certificati
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2SC0108T2H0-17
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 43.86 EURPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 53.50 EUR
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 40.81 EURPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 49.78 EUR
Prezzo netto per quantità da 30 pz - 38.90 EURPrezzo lordo per quantità da 30 pz - 47.45 EUR
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