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A1C15S12M3

Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV

Produttore: STMicroelectronics

Indicazione del produttore:
A1C15S12M3
Simbolo TME:
A1C15S12M3

Specifica

Produttore
STMicroelectronics
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
diodo/transistor
Topologia
boost chopper, raddrizzatore 3-fasi, semi ponte IGBT x3, termistore NTC
Tensione invertita max.
1,2kV
Corrente del collettore
15A
Cassa
ACEPACK™1
Applicazione
motori, ondulatore
Montaggio elettrico
Press-in PCB
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
30A
Potenza dissipata
142,8W
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo50 g
Certificati
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A1C15S12M3
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 51.91 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 63.33 USD
Prezzo netto per quantità da 5 pz - 45.89 USDPrezzo lordo per quantità da 5 pz - 55.98 USD
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 44.28 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 54.02 USD
Quantità (Molteplicità: 1)