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A1C15S12M3

Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV

Produttore: STMicroelectronics

Indicazione del produttore:
A1C15S12M3
Simbolo TME:
A1C15S12M3

Specifica

Produttore
STMicroelectronics
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
diodo/transistor
Topologia
boost chopper, raddrizzatore 3-fasi, semi ponte IGBT x3, termistore NTC
Tensione invertita max.
1,2kV
Corrente del collettore
15A
Cassa
ACEPACK™1
Applicazione
motori, ondulatore
Montaggio elettrico
Press-in PCB
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
30A
Potenza dissipata
142,8W
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo50 g
Certificati
Scopri gli altri prodotti di questa categoria: Moduli IGBT STMicroelectronics,
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A1C15S12M3
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 52.74 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 64.34 USD
Prezzo netto per quantità da 5 pz - 46.61 USDPrezzo lordo per quantità da 5 pz - 56.87 USD
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