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A2C50S65M2

Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A

Produttore: STMicroelectronics

Indicazione del produttore:
A2C50S65M2
Simbolo TME:
A2C50S65M2

Specifica

Produttore
STMicroelectronics
Modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
diodo/transistor
Topologia
boost chopper, raddrizzatore 3-fasi, semi ponte IGBT x3, termistore NTC
Tensione invertita max.
650V
Corrente del collettore
50A
Cassa
ACEPACK™2
Applicazione
motori, ondulatore
Montaggio elettrico
Press-in PCB
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
100A
Potenza dissipata
208W
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo50 g
Certificati
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A2C50S65M2
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 76.98 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 93.92 USD
Quantità (Molteplicità: 1)