APT35GP120J
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
APT35GP120J
Simbolo TME:
APT35GP120J
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | IGBT | ||
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | ||
Tensione invertita max. | 1,2kV | ||
Corrente del collettore | 29A | ||
Cassa | SOT227B | ||
Montaggio elettrico | avvitabile | ||
Tensione porta - emettitore | ±30V | ||
Corrente del collettore nel impulso | 140A | ||
Tecnologia | POWER MOS 7®, PT | ||
Genere di confezione | tubo | ||
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo36.43 g
Certificati
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* APT35GP120JQuantità (Molteplicità: 1)
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