APT40GR120B2D30
Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 40A; 500W; T-Max
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
APT40GR120B2D30
Simbolo TME:
APT40GR120B2D30
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo del transistor | IGBT | |
Tecnologia | NPT, POWER MOS 8® | |
Tensione collettore-emettitore | 1,2kV | |
Corrente del collettore | 40A | |
Potenza dissipata | 500W | |
Cassa | T-Max | |
Tensione porta - emettitore | ±30V | |
Corrente del collettore nel impulso | 160A | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 0,21µC | |
Genere di confezione | tubo | |
Tempo d'avvio | 47ns | |
Tempo d'interruzione | 232ns | |
Proprieta degli elementi semiconduttori | integrated anti-parallel diode | |
Stato del componente | Non raccomandato per nuovi progetti |
Peso lordo6.76 g
Certificati
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* APT40GR120B2D30Quantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 27.40 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 33.43 USD
Prezzo netto per quantità da 3 pz - 24.51 USDPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 29.90 USD
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 21.61 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 26.36 USD
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Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 30 pz