APT50GF120JRD
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
APT50GF120JRD
Simbolo TME:
APT50GF120JRD
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | IGBT | ||
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | ||
Tensione invertita max. | 1,2kV | ||
Corrente del collettore | 64A | ||
Cassa | SOT227B | ||
Montaggio elettrico | avvitabile | ||
Tensione porta - emettitore | ±30V | ||
Corrente del collettore nel impulso | 225A | ||
Tecnologia | NPT | ||
Genere di confezione | tubo | ||
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo30 g
Certificati
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