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Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo del transistor | IGBT | |
Tecnologia | NPT, POWER MOS 8® | |
Tensione collettore-emettitore | 1,2kV | |
Corrente del collettore | 50A | |
Potenza dissipata | 694W | |
Cassa | T-Max | |
Tensione porta - emettitore | ±30V | |
Corrente del collettore nel impulso | 200A | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 330nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Tempo d'avvio | 66ns | |
Tempo d'interruzione | 324ns |