APT60GF120JRD
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,2kV; Ic: 79A; SOT227B
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
APT60GF120JRD
Simbolo TME:
APT60GF120JRD
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo di modulo a semiconduttore | IGBT | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione invertita max. | 1,2kV | |
Corrente del collettore | 79A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Tensione porta - emettitore | ±30V | |
Corrente del collettore nel impulso | 300A | |
Tecnologia | NPT | |
Genere di confezione | tubo | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo30 g
Certificati
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* APT60GF120JRDQuantità (Molteplicità: 1)
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