APTCV60HM45RCT3G
Modulo; diodo SiC/transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 250W
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
APTCV60HM45RCT3G
Simbolo TME:
APTCV60HM45RCT3G
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET / IGBT | |
Struttura del semiconduttore | diodo SiC/transistor | |
Tensione drenaggio-fonte | 600V | |
Corrente di drenaggio | 38A | |
Cassa | SP3F | |
Topologia | ponte ad H, ponte monofase a diodi, termistore NTC | |
Montaggio elettrico | Press-in PCB | |
Resistenza nello stato di conduzione | 45mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 130A | |
Potenza dissipata | 250W | |
Tecnologia | CoolMOS™, Field Stop, SiC, Trench | |
Tensione porta-sorgente | ±20V | |
Montaggio meccanico | avvitabile | |
Corrente del collettore | 50A |
Peso lordo110 g
Certificati
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