APTCV60HM45RCT3G
Modulo; diodo SiC/transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 250W
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
APTCV60HM45RCT3G
Simbolo TME:
APTCV60HM45RCT3G
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET / IGBT | ||
Struttura del semiconduttore | diodo SiC/transistor | ||
Tensione drenaggio-fonte | 600V | ||
Corrente di drenaggio | 38A | ||
Cassa | SP3F | ||
Topologia | ponte ad H, ponte monofase a diodi, termistore NTC | ||
Montaggio elettrico | Press-in PCB | ||
Resistenza nello stato di conduzione | 45mΩ | ||
Corrente di drain pulsata | 130A | ||
Potenza dissipata | 250W | ||
Tecnologia | CoolMOS™, Field Stop, SiC, Trench | ||
Tensione porta-sorgente | ±20V | ||
Montaggio meccanico | avvitabile | ||
Corrente del collettore | 50A |
Peso lordo110 g
Certificati
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* APTCV60HM45RCT3GQuantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 160.81 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 196.19 USD
Prezzo netto per quantità da 3 pz - 143.96 USDPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 175.63 USD
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 127.88 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 156.01 USD
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