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APTGT75DH120T3G

Modulo: IGBT; diodo/transistor; ponte asimmetrico; Urmax: 1,2kV

Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY

Indicazione del produttore:
APTGT75DH120T3G
Simbolo TME:
APTGT75DH120T3G

Specifica

Produttore
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
diodo/transistor
Topologia
ponte asimmetrico, termistore NTC
Tensione invertita max.
1,2kV
Corrente del collettore
75A
Cassa
SP3F
Montaggio elettrico
Press-in PCB
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
175A
Tecnologia
Field Stop, Trench
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo110 g
Certificati

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APTGT75DH120T3G
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Prezzo netto per quantità da 13 pz - 70.33 USDPrezzo lordo per quantità da 13 pz - 85.81 USD
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