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Produttore	MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo di modulo a semiconduttore	Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore	diodo SiC/transistor
Tensione drenaggio-fonte	1,2kV
Corrente di drenaggio	86A
Cassa	SP6
Topologia	transistor singolo + diodo in serie + diodo in parallelo
Montaggio elettrico	avvitabile
Resistenza nello stato di conduzione	0,12Ω
Corrente di drain pulsata	464A
Potenza dissipata	3,29kW
Tecnologia	POWER MOS 7®, SiC
Tensione porta-sorgente	±30V
Montaggio meccanico	avvitabile

APTM120U10SCAVG

Modulo; diodo SiC/transistor; 1,2kV; 86A; SP6; avvitabile; 3,29kW

Specifica

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. è l'importatore dei prodotti di questo marchio