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B1D03120E

Diodo: raddrizzatore Schottky; TO252-2; SiC; SMD; 1,2kV; 3A; 39W

Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
B1D03120E
Simbolo TME:
B1D03120E
BASiC SEMICONDUCTOR - logo

Specifica

Produttore
BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo di diodi
raddrizzatore Schottky
Cassa
TO252-2
Tecnologia
SiC
Montaggio
SMD
Tensione invertita max.
1,2kV
Corrente di conduzione
3A
Struttura del semiconduttore
diodo singolo
Tensione di conduzione max.
1,9V
Corrente di dispersione
20µA
Corrente nell'impulso max.
30A
Genere di confezione
bobina, nastro
Potenza dissipata
39W
Peso lordo1 g
Certificati

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B1D03120E
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