B2D20120H1
Diodo: raddrizzatore Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 20A; TO247-2; 159W
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
B2D20120H1
Simbolo TME:
B2D20120H1
Specifica
Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Tipo di diodi | raddrizzatore Schottky | ||
Tecnologia | SiC | ||
Montaggio | THT | ||
Tensione invertita max. | 1,2kV | ||
Corrente di conduzione | 20A | ||
Struttura del semiconduttore | diodo singolo | ||
Cassa | TO247-2 | ||
Tensione di conduzione max. | 1,78V | ||
Corrente nell'impulso max. | 190A | ||
Corrente di dispersione | 40µA | ||
Potenza dissipata | 159W | ||
Genere di confezione | tubo |
Peso lordo5.85 g
Certificati
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. è l'importatore dei prodotti di questo marchio
Scopri gli altri prodotti di questa categoria: Diodi Schottky THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2D20120H1Quantità (Molteplicità: 1)
29 in stock presso TME
Prezzo netto per quantità da 1 pz - 5.88 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 7.17 USD
Prezzo netto per quantità da 5 pz - 5.28 USDPrezzo lordo per quantità da 5 pz - 6.45 USD
Prezzo netto per quantità da 30 pz - 4.67 USDPrezzo lordo per quantità da 30 pz - 5.69 USD
Prezzo netto per quantità da 150 pz - 3.91 USDPrezzo lordo per quantità da 150 pz - 4.77 USD
Prezzo netto per quantità da 600 pz - 3.78 USDPrezzo lordo per quantità da 600 pz - 4.61 USD
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 30 pz