B2D20120H1
Diodo: raddrizzatore Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 20A; TO247-2; 159W
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
B2D20120H1
Simbolo TME:
B2D20120H1
Specifica
Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo di diodi | raddrizzatore Schottky | |
Tecnologia | SiC | |
Montaggio | THT | |
Tensione invertita max. | 1,2kV | |
Corrente di conduzione | 20A | |
Struttura del semiconduttore | diodo singolo | |
Cassa | TO247-2 | |
Tensione di conduzione max. | 1,78V | |
Corrente nell'impulso max. | 190A | |
Corrente di dispersione | 40µA | |
Potenza dissipata | 159W | |
Genere di confezione | tubo |
Peso lordo5.85 g
Certificati
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* B2D20120H1Quantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 6.00 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 7.32 USD
Prezzo netto per quantità da 5 pz - 5.39 USDPrezzo lordo per quantità da 5 pz - 6.58 USD
Prezzo netto per quantità da 30 pz - 4.76 USDPrezzo lordo per quantità da 30 pz - 5.81 USD
Prezzo netto per quantità da 150 pz - 4.00 USDPrezzo lordo per quantità da 150 pz - 4.88 USD
Prezzo netto per quantità da 600 pz - 3.86 USDPrezzo lordo per quantità da 600 pz - 4.71 USD
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 30 pz