B3D20120H
Diodo: raddrizzatore Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 20A; TO247-2; 259W
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
B3D20120H
Simbolo TME:
B3D20120H
Specifica
Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Diodo | raddrizzatore Schottky | |
Tecnologia | SiC | |
Montaggio | THT | |
Tensione invertita max. | 1,2kV | |
Corrente di conduzione | 20A | |
Struttura del semiconduttore | diodo singolo | |
Cassa | TO247-2 | |
Corrente nell'impulso max. | 160A | |
Potenza dissipata | 259W | |
Genere di confezione | tubo |
Peso lordo1 g
Certificati
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* B3D20120HQuantità (Molteplicità: 1)
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