NOVITÀ
B3D20120H
Diodo: raddrizzatore Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 20A; TO247-2; 259W
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
B3D20120H
Simbolo TME:
B3D20120H
Specifica
Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Tipo di diodi | raddrizzatore Schottky | ||
Tecnologia | SiC | ||
Montaggio | THT | ||
Tensione invertita max. | 1,2kV | ||
Corrente di conduzione | 20A | ||
Struttura del semiconduttore | diodo singolo | ||
Cassa | TO247-2 | ||
Corrente nell'impulso max. | 160A | ||
Potenza dissipata | 259W | ||
Genere di confezione | tubo |
Peso lordo1 g
Certificati
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* B3D20120HQuantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 30 pz - 1.36 EURPrezzo lordo per quantità da 30 pz - 1.66 EUR
Prezzo netto per quantità da 120 pz - 1.23 EURPrezzo lordo per quantità da 120 pz - 1.50 EUR
Prezzo netto per quantità da 300 pz - 1.15 EURPrezzo lordo per quantità da 300 pz - 1.40 EUR