BGH50N65HS1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
BGH50N65HS1
Simbolo TME:
BGH50N65HS1
Specifica
Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo del transistor | IGBT | |
Tecnologia | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Tensione collettore-emettitore | 650V | |
Corrente del collettore | 50A | |
Potenza dissipata | 357W | |
Cassa | TO247-3 | |
Tensione porta - emettitore | ±20V | |
Corrente del collettore nel impulso | 200A | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 308nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Tempo d'avvio | 54ns | |
Tempo d'interruzione | 256ns | |
Proprieta degli elementi semiconduttori | integrated anti-parallel diode |
Peso lordo6.26 g
Certificati
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* BGH50N65HS1Quantità (Molteplicità: 1)
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Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 30 pz