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Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo del transistor | IGBT | |
Tecnologia | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Tensione collettore-emettitore | 1,2kV | |
Corrente del collettore | 75A | |
Potenza dissipata | 568W | |
Cassa | TO247-3 | |
Tensione porta - emettitore | ±20V | |
Corrente del collettore nel impulso | 200A | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 398nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Tempo d'avvio | 140ns | |
Tempo d'interruzione | 443ns | |
Proprieta degli elementi semiconduttori | integrated anti-parallel diode |