BGH75N120HF1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1,2kV; 75A; 568W; TO247-3
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
BGH75N120HF1
Simbolo TME:
BGH75N120HF1
Specifica
Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo del transistor | IGBT | |
Tecnologia | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Tensione collettore-emettitore | 1,2kV | |
Corrente del collettore | 75A | |
Potenza dissipata | 568W | |
Cassa | TO247-3 | |
Tensione porta - emettitore | ±20V | |
Corrente del collettore nel impulso | 200A | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 398nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Tempo d'avvio | 140ns | |
Tempo d'interruzione | 443ns | |
Proprieta degli elementi semiconduttori | integrated anti-parallel diode |
Peso lordo6.217 g
Certificati
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* BGH75N120HF1Quantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 30 pz - 7.09 EURPrezzo lordo per quantità da 30 pz - 8.65 EUR
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 30 pz