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BGH75N120HF1

Transistor: IGBT; SiC SBD; 1,2kV; 75A; 568W; TO247-3

Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
BGH75N120HF1
Simbolo TME:
BGH75N120HF1

Specifica

Produttore
BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo del transistor
IGBT
Tecnologia
Field Stop, SiC SBD, Trench
Tensione collettore-emettitore
1,2kV
Corrente del collettore
75A
Potenza dissipata
568W
Cassa
TO247-3
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
200A
Montaggio
THT
Carico della porta
398nC
Genere di confezione
tubo
Tempo d'avvio
140ns
Tempo d'interruzione
443ns
Proprieta degli elementi semiconduttori
integrated anti-parallel diode
Peso lordo6.217 g
Certificati

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. è l'importatore dei prodotti di questo marchio

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BGH75N120HF1
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 11.51 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 14.03 USD
Prezzo netto per quantità da 3 pz - 10.41 USDPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 12.69 USD
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 9.20 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 11.23 USD
Prezzo netto per quantità da 30 pz - 8.28 USDPrezzo lordo per quantità da 30 pz - 10.09 USD
Quantità (Molteplicità: 1)
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Molteplicità: 1.
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 30 pz