BGH75N65HF1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
BGH75N65HF1
Simbolo TME:
BGH75N65HF1
Specifica
Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo del transistor | IGBT | |
Tecnologia | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Tensione collettore-emettitore | 650V | |
Corrente del collettore | 75A | |
Potenza dissipata | 405W | |
Cassa | TO247-3 | |
Tensione porta - emettitore | ±20V | |
Corrente del collettore nel impulso | 300A | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 444nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Tempo d'avvio | 104ns | |
Tempo d'interruzione | 376ns | |
Proprieta degli elementi semiconduttori | integrated anti-parallel diode |
Peso lordo5 g
Certificati
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* BGH75N65HF1Quantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 600 pz - 6.66 EURPrezzo lordo per quantità da 600 pz - 8.13 EUR