BGH75N65ZF1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
BGH75N65ZF1
Simbolo TME:
BGH75N65ZF1
Specifica
Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo del transistor | IGBT | |
Tecnologia | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Tensione collettore-emettitore | 650V | |
Corrente del collettore | 75A | |
Potenza dissipata | 405W | |
Cassa | TO247-4 | |
Tensione porta - emettitore | ±20V | |
Corrente del collettore nel impulso | 300A | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 444nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Tempo d'avvio | 84ns | |
Tempo d'interruzione | 565ns | |
Proprieta degli elementi semiconduttori | integrated anti-parallel diode |
Peso lordo6.687 g
Certificati
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* BGH75N65ZF1Quantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 600 pz - 8.03 EURPrezzo lordo per quantità da 600 pz - 9.80 EUR
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 30 pz