G3R20MT17N
Modulo; transistor singolo; 1,7kV; 70A; SOT227B; avvitabile; 523W
Produttore: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
G3R20MT17N
Simbolo TME:
G3R20MT17N
Specifica
Produttore | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 1,7kV | |
Corrente di drenaggio | 70A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 20mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 300A | |
Potenza dissipata | 523W | |
Tecnologia | G3R™, SiC | |
Genere di canale | arricchito | |
Tensione porta-sorgente | -5...15V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo35.44 g
Certificati
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* G3R20MT17N
Metodo di confezionamento del produttore:Tubetto = 10 pz