GD10MPS12E
Diodo: raddrizzatore Schottky; TO252-2; SiC; SMD; 1,2kV; 18A
Produttore: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
GD10MPS12E
Simbolo TME:
GD10MPS12E
Specifica
Produttore | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo di diodi | raddrizzatore Schottky | |
Cassa | TO252-2 | |
Tecnologia | SiC | |
Montaggio | SMD | |
Tensione invertita max. | 1,2kV | |
Corrente di conduzione | 18A | |
Struttura del semiconduttore | diodo singolo | |
Proprieta degli elementi semiconduttori | MPS | |
Tensione di conduzione max. | 1,9V | |
Corrente di conduzione max. | 33A | |
Corrente nell'impulso max. | 64A | |
Genere di confezione | bobina, nastro |
Peso lordo0.3 g
Certificati
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* GD10MPS12EQuantità (Molteplicità: 2 500)
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