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GD10PJX65F1S

Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A

Famiglia di prodotti

Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
GD10PJX65F1S
Simbolo TME:
GD10PJX65F1S

Specifica

Produttore
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
diodo/transistor
Topologia
boost chopper, ponte 3-fase IGBT uscita OE, raddrizzatore 3-fasi, termistore NTC
Tensione invertita max.
650V
Corrente del collettore
10A
Cassa
F1.1
Montaggio elettrico
Press-in PCB
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
20A
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo24.99 g
Certificati
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GD10PJX65F1S
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