+1 500 000 prodotti nell’offerta

7000 pacchi giornalmente

+300 000 clienti da 150 paesi

Quick Buy Preferiti
Carrello

GD10PJX65L2S

Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A

Famiglia di prodotti

Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
GD10PJX65L2S
Simbolo TME:
GD10PJX65L2S

Specifica

Produttore
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
diodo/transistor
Topologia
boost chopper, ponte 3-fase IGBT uscita OE, raddrizzatore 3-fasi, termistore NTC
Tensione invertita max.
650V
Corrente del collettore
10A
Cassa
L2.5
Montaggio elettrico
Press-in PCB
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
20A
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo24 g
Certificati
Scopri gli altri prodotti di questa categoria: Moduli IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD10PJX65L2S
0 in stock presso TME
Prezzo netto per quantità da 1 pz - 24.61 EURPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 30.01 EUR
Prezzo netto per quantità da 3 pz - 21.70 EURPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 26.48 EUR
Prezzo netto per quantità da 12 pz - 19.51 EURPrezzo lordo per quantità da 12 pz - 23.80 EUR
Prezzo netto per quantità da 24 pz - 18.21 EURPrezzo lordo per quantità da 24 pz - 22.21 EUR
Quantità (Molteplicità: 1)
Quantità minima possibile da ordinare: 1.
Molteplicità: 1.