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GD1400HFX170P2S

Modulo: IGBT; transistor/transistor; semi ponte IGBT; Ic: 1400A


Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
GD1400HFX170P2S
Simbolo TME:
GD1400HFX170P2S

Specifica

Produttore
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
transistor/transistor
Topologia
semi ponte IGBT
Tensione invertita max.
1,7kV
Corrente del collettore
1,4kA
Cassa
P2.0
Montaggio elettrico
avvitabile
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
2,8kA
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo1.21 kg
Certificati
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GD1400HFX170P2S
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