+1 500 000 prodotti nell’offerta

7000 pacchi giornalmente

+300 000 clienti da 150 paesi

Quick Buy Preferiti
Carrello

GD150HFY120C8S

Modulo: IGBT; transistor/transistor; semi ponte IGBT; Ic: 150A


Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
GD150HFY120C8S
Simbolo TME:
GD150HFY120C8S

Specifica

Produttore
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
transistor/transistor
Topologia
semi ponte IGBT
Tensione invertita max.
1,2kV
Corrente del collettore
150A
Cassa
C8 48mm
Montaggio elettrico
avvitabile, FASTON connettori
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
300A
Tecnologia
Advanced Trench FS IGBT
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo200 g
Certificati
Scopri gli altri prodotti di questa categoria: Moduli IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD150HFY120C8S
0 in stock presso TME
Quantità (Molteplicità: 16)
Quantità minima possibile da ordinare: 16.
Molteplicità: 16.
Prodotto su ordinazione speciale