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GD200HFU120C2S

Modulo: IGBT; transistor/transistor; semi ponte IGBT; Ic: 200A

Famiglia di prodotti

Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
GD200HFU120C2S
Simbolo TME:
GD200HFU120C2S

Specifica

Produttore
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
transistor/transistor
Topologia
semi ponte IGBT
Tensione invertita max.
1,2kV
Corrente del collettore
200A
Cassa
C2 62mm
Montaggio elettrico
avvitabile, FASTON connettori
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
400A
Tecnologia
NPT Ultra Fast IGBT
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo300 g
Certificati
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GD200HFU120C2S
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