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GD200HFX65C8S

Modulo: IGBT; transistor/transistor; semi ponte IGBT; Urmax: 650V

Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
GD200HFX65C8S
Simbolo TME:
GD200HFX65C8S

Specifica

Produttore
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
transistor/transistor
Topologia
semi ponte IGBT
Tensione invertita max.
650V
Corrente del collettore
200A
Cassa
C8 48mm
Montaggio elettrico
avvitabile, FASTON connettori
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
400A
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo200 g
Certificati
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GD200HFX65C8S
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