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GD300HTY120C7S

Modulo: IGBT; transistor/transistor; semi ponte IGBT x3; Ic: 300A

Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
GD300HTY120C7S
Simbolo TME:
GD300HTY120C7S

Specifica

Produttore
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
transistor/transistor
Topologia
semi ponte IGBT x3, termistore NTC
Tensione invertita max.
1,2kV
Corrente del collettore
300A
Cassa
C7
Montaggio elettrico
avvitabile, Press-in PCB
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
600A
Tecnologia
Advanced Trench FS IGBT
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo910 g
Certificati
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GD300HTY120C7S
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Prezzo netto per quantità da 8 pz - 321.32 USDPrezzo lordo per quantità da 8 pz - 392.00 USD
Quantità (Molteplicità: 8)