+1 500 000 prodotti nell’offerta

7000 pacchi giornalmente

+300 000 clienti da 150 paesi

Quick Buy Preferiti
Carrello

GD30PJX65F1S

Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A


Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
GD30PJX65F1S
Simbolo TME:
GD30PJX65F1S

Specifica

Produttore
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
diodo/transistor
Topologia
boost chopper, ponte 3-fase IGBT uscita OE, raddrizzatore 3-fasi, termistore NTC
Tensione invertita max.
650V
Corrente del collettore
30A
Cassa
F1.1
Montaggio elettrico
Press-in PCB
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
60A
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo26 g
Certificati
Scopri gli altri prodotti di questa categoria: Moduli IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD30PJX65F1S
0 in stock presso TME
Prezzo netto per quantità da 25 pz - 27.71 EURPrezzo lordo per quantità da 25 pz - 33.80 EUR
Quantità (Molteplicità: 25)
Quantità minima possibile da ordinare: 25.
Molteplicità: 25.