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GD30PJX65L2S

Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A

Famiglia di prodotti

Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
GD30PJX65L2S
Simbolo TME:
GD30PJX65L2S

Specifica

Produttore
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
diodo/transistor
Topologia
boost chopper, ponte 3-fase IGBT uscita OE, raddrizzatore 3-fasi, termistore NTC
Tensione invertita max.
650V
Corrente del collettore
30A
Cassa
L2.2
Montaggio elettrico
Press-in PCB
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
60A
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo24 g
Certificati
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GD30PJX65L2S
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Prezzo netto per quantità da 12 pz - 30.05 USDPrezzo lordo per quantità da 12 pz - 36.67 USD
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