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GD35PJY120F2S

Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0

Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
GD35PJY120F2S
Simbolo TME:
GD35PJY120F2S

Specifica

Produttore
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
diodo/transistor
Topologia
boost chopper, ponte 3-fase IGBT uscita OE, raddrizzatore 3-fasi, termistore NTC
Tensione invertita max.
1,2kV
Corrente del collettore
35A
Cassa
F2.0
Montaggio elettrico
Press-in PCB
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
70A
Tecnologia
Advanced Trench FS IGBT
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo42 g
Certificati
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GD35PJY120F2S
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