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GD50FSX65L2S

Modulo: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1

Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
GD50FSX65L2S
Simbolo TME:
GD50FSX65L2S

Specifica

Produttore
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
transistor/transistor
Topologia
ponte 3-fase IGBT uscita OE, termistore NTC
Tensione invertita max.
650V
Corrente del collettore
50A
Cassa
L2.1
Montaggio elettrico
Press-in PCB
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
100A
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo24 g
Certificati
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GD50FSX65L2S
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 42.93 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 52.37 USD
Prezzo netto per quantità da 3 pz - 37.88 USDPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 46.21 USD
Prezzo netto per quantità da 12 pz - 34.13 USDPrezzo lordo per quantità da 12 pz - 41.64 USD
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