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GD650HFX170P1S

Modulo: IGBT; transistor/transistor; semi ponte IGBT; Ic: 650A


Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
GD650HFX170P1S
Simbolo TME:
GD650HFX170P1S

Specifica

Produttore
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
transistor/transistor
Topologia
semi ponte IGBT
Tensione invertita max.
1,7kV
Corrente del collettore
650A
Cassa
P1.0
Montaggio elettrico
avvitabile
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
1,3kA
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo825 g
Certificati
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GD650HFX170P1S
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