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GD800SGX170C3S

Modulo: IGBT; transistor/transistor,gate comune; IGBT x2

Famiglia di prodotti

Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
GD800SGX170C3S
Simbolo TME:
GD800SGX170C3S

Specifica

Produttore
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
gate comune, transistor/transistor
Topologia
IGBT x2
Tensione invertita max.
1,7kV
Corrente del collettore
800A
Cassa
C3 130mm
Montaggio elettrico
avvitabile
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
1,6kA
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo1.5 kg
Certificati
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GD800SGX170C3S
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