IXBN42N170A
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,7kV; Ic: 21A; SOT227B
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXBN42N170A
Simbolo TME:
IXBN42N170A
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | IGBT | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione invertita max. | 1,7kV | |
Corrente del collettore | 21A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Tensione porta - emettitore | ±20V | |
Corrente del collettore nel impulso | 265A | |
Potenza dissipata | 313W | |
Tecnologia | BiMOSFET™ | |
Proprieta degli elementi semiconduttori | alta tensione | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo36.86 g
Certificati
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* IXBN42N170AQuantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 43.61 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 53.21 USD
Prezzo netto per quantità da 3 pz - 39.21 USDPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 47.83 USD
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 36.54 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 44.58 USD
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz