IXBN75N170
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXBN75N170
Simbolo TME:
IXBN75N170
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | IGBT | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione invertita max. | 1,7kV | |
Corrente del collettore | 75A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Tensione porta - emettitore | ±20V | |
Corrente del collettore nel impulso | 680A | |
Potenza dissipata | 625W | |
Tecnologia | BiMOSFET™ | |
Proprieta degli elementi semiconduttori | alta tensione | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo37.09 g
Certificati
Scopri gli altri prodotti di questa categoria: Moduli IGBT IXYS,
* IXBN75N170Quantità (Molteplicità: 1)
1 in stock presso TME
Prezzo netto per quantità da 1 pz - 98.33 EURPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 119.96 EUR
Prezzo netto per quantità da 3 pz - 88.34 EURPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 107.78 EUR
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 82.46 EURPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 100.60 EUR
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz