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IXFN110N85X

Modulo; transistor singolo; 850V; 110A; SOT227B; avvitabile; 1170W


Produttore: IXYS

Indicazione del produttore:
IXFN110N85X
Simbolo TME:
IXFN110N85X

Specifica

Produttore
IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte
850V
Corrente di drenaggio
110A
Cassa
SOT227B
Montaggio elettrico
avvitabile
Polarizzazione
unipolare
Resistenza nello stato di conduzione
33mΩ
Corrente di drain pulsata
220A
Potenza dissipata
1,17kW
Tecnologia
HiPerFET™, X-Class
Genere di canale
arricchito
Carico della porta
425nC
Tempo di prontitudine
205ns
Tensione porta-sorgente
±40V
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo37.29 g
Certificati
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IXFN110N85X
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 59.26 GBPPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 72.30 GBP
Prezzo netto per quantità da 5 pz - 54.49 GBPPrezzo lordo per quantità da 5 pz - 66.47 GBP
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 52.59 GBPPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 64.15 GBP
Metodo di confezionamento del produttore:Tubetto = 10 pz