IXFN360N15T2
Modulo; transistor singolo; 150V; 310A; SOT227B; avvitabile; 1070W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN360N15T2
Simbolo TME:
IXFN360N15T2
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 150V | |
Corrente di drenaggio | 310A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 4mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 900A | |
Potenza dissipata | 1,07kW | |
Tecnologia | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 715nC | |
Tempo di prontitudine | 150ns | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo37.17 g
Certificati
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* IXFN360N15T2Quantità (Molteplicità: 300)
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Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz