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Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 75V | |
Corrente di drenaggio | 480A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 1,9mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 1,5kA | |
Potenza dissipata | 940W | |
Tecnologia | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 545nC | |
Tempo di prontitudine | 150ns | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |