IXFN55N50
Modulo; transistor singolo; 500V; 55A; SOT227B; avvitabile; 625W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN55N50
Simbolo TME:
IXFN55N50
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 500V | |
Corrente di drenaggio | 55A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 80mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 220A | |
Potenza dissipata | 625W | |
Tecnologia | HiPerFET™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 330nC | |
Tempo di prontitudine | 250ns | |
Tensione porta-sorgente | ±40V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo36.7 g
Certificati
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* IXFN55N50Quantità (Molteplicità: 300)
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Prezzo netto per quantità da 300 pz - 29.50 EURPrezzo lordo per quantità da 300 pz - 35.99 EUR